特許
J-GLOBAL ID：200903058318665536
超臨界乾燥装置および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254835
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091180
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】超臨界液体による乾燥(超臨界乾燥)の乾燥効率を高めるとともに、レジストパターンの乾燥において、パターン倒れもなく良好なパターンを提供することができ、またレジストパターンの膨れを回避し、微細なパターン形成を可能とする超臨界乾燥装置および方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板2を保持する反応室1と、反応室1に所望のガスを供給する液化二酸化炭素のガスボンベ3とを有する超臨界乾燥装置において、ガスボンベ3、ポンプ4、ヒター5およびクーラ6とにより、超臨界流体となるべき液体(液化二酸化炭素)または超臨界流体を反応室1に導入する手段を構成し、さらに、反応室1の圧力を調整する圧力調整器8と、反応室1の温度を調整する温度調整装置8aを設ける。
請求項（抜粋）：
反応室内の水分を除去しながら超臨界流体を導入し、あるいは上記反応室内の水分を除去した後上記超臨界流体を導入し、液体に浸された材料の乾燥を行う手段を有することを特徴とする超臨界乾燥装置。
Fターム (2件)：
引用特許：
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