特許

J-GLOBAL ID：200903058318827200

貼合せ半導体ウェハとその製造方法

発明者： 山本 博昭 ,  植村 訓之 ,  河野 光雄
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250154
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086539
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】デバイスを組み込んだときの酸化膜耐圧が十分に高く、したがってデバイスの歩留りを向上することができる貼合せ半導体ウェハとその製造方法を提供する。【構成】第1のウェハと第2のウェハとを直接接合した貼合せ半導体ウェハにおいて、第1のウェハのレーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とし、また、第1のウェハと第2のウェハとを絶縁層を介して接合した貼合せSOI半導体ウェハにおいて、第1のウェハのレーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1のウェハと第2のウェハとを直接接合した貼合せ半導体ウェハにおいて、前記第1のウェハのレーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とする貼合せ半導体ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-290229
  
• 特開平2-046770
  
• 特開平4-167433
  
• 特開平1-259539
  
• 特開平4-294540