特許

J-GLOBAL ID：200903058320486452

半導体装置の製造方法

発明者： 塩谷 喜美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247763
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097191
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、シリサイド膜又はポリサイド膜上にCVDシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製造方法に関し、高い温度を加えて行うCVDによりポリサイド膜上に形成された絶縁膜の白濁を防止することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】基体上にシリサイド膜27又はポリサイド膜28を形成する工程と、前記シリサイド膜又はポリサイド膜をパターニングする工程と、前記パターニングされたシリサイド膜又はポリサイド膜を加熱処理する工程と、イオン注入を行う工程と、化学気相成長により絶縁膜29を形成し、前記パターニングされたシリサイド膜又はポリサイド膜を被覆する工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

基体上にシリサイド膜又はポリサイド膜を形成する工程と、前記シリサイド膜又はポリサイド膜をパターニングする工程と、前記パターニングされたシリサイド膜又はポリサイド膜を加熱処理する工程と、化学気相成長により絶縁膜を形成し、前記パターニングされたシリサイド膜又はポリサイド膜を被覆する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/88 Q