特許

J-GLOBAL ID：200903058323973788

積層体,積層体の製造方法及び半導体素子

発明者： 西川 孝司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-205038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077112
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の微細化,高集積化に対応しうる比誘電率の高いかつ絶縁特性の良好な膜の形成方法及びこれを利用した半導体素子を提供する。【解決手段】 Si基板1を酸処理などによって洗浄し、加熱して表面の付着物を除去する。次に、Si基板1の表面にプラズマ化された窒素を供給して、ラジカル窒素のサーファクタント効果により、Si基板1の表面上に、Si結晶とは格子整合していないAlN結晶層80を形成する。AlN結晶層80の格子間距離は、AlN結晶体本来の格子定数にほぼ一致するので、Si基板1と格子整合している場合のように、Al結晶層80には、Si基板1との格子定数の相違に起因する歪みが内在することがない。

請求項（抜粋）：

結晶層を有する基板と、上記結晶層の主面の上にエピタキシャル成長され、上記結晶層の方位に倣った方位で上記結晶層とは格子非整合な結晶格子を有し上記結晶層よりも原子同士の結合力が大きい結晶性化合物膜とを備えている積層体。

IPC (10件)：

H01L 21/318 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  C23C 14/06 P ,  H01L 21/203 M ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371