特許
J-GLOBAL ID：200903058327274582
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200862
公開番号（公開出願番号）：特開平7-056190
出願日： 1993年08月12日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【構成】 薄膜トランジスタのゲート配線・ソース配線・画素電極が絶縁膜を介して各々異なる層に形成され、ソース配線の上部に第二および第三の層間絶縁膜が形成され、前記の第三の層間絶縁膜が等方的にエッチングされ、第二の層間絶縁膜が異方的にエッチングされて薄膜トランジスタのドレイン部にコンタクトホールが開口され、薄膜トランジスタのドレイン部に画素電極が形成される。【効果】 微細なコンタクトホールの形状が改善され、良好なコンタクト特性を得ることが可能であると同時に、RIEを用いての画素電極の微細加工が容易になる。
請求項（抜粋）：
アクティブマトリックス液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタにおいて、前記の薄膜トランジスタのゲート配線の上部に第一の層間絶縁膜を介してソース配線が形成され、前記のソース配線の上部に第二の層間絶縁膜が形成され、前記の第二の層間絶縁膜の上部に第三の層間絶縁膜が形成され、前記の第三の層間絶縁膜の上部に画素電極が形成されており、前記の第三の層間絶縁膜が等方的にエッチングされ、第二の層間絶縁膜が異方的にエッチングされたコンタクトホールを用いて前記の画素電極と薄膜トランジスタのドレイン部のコンタクトが為されていることを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 N
