特許

J-GLOBAL ID：200903058327777916

薄膜の製造方法および薄膜

発明者： 生水 利明 ,  豊原 延好 ,  三田村 宣明 ,  川俣 健 ,  渡邉 正 ,  池田 浩 ,  浦田 憲和
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263936
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 光吸収のないフッ物膜をスパッタリング法により高速で形成する。【解決手段】 粒径0.1〜10mmの顆粒状のMgF2 を膜原料とし、酸素または窒素の中から選ばれた1種以上のガスとフッ素含有ガスとを同時に導入しながら、高周波電力を投入してMgF2 上にプラズマを発生させ、このプラズマによりMgF2 表面の温度を650°C〜1100°Cの間に保持するとともに、MgF2 を前記導入ガスの正イオンでスパッタリングすることにより、MgF2 の少なくとも一部を分子状態で跳びださせ、この分子状態のMgF2 によって基板上へ膜を形成する。

請求項（抜粋）：

粒径0.1〜10mmのフッ化物顆粒を膜原料とし、少なくとも酸素,窒素または水素のいずれか1つを含むガスとフッ素含有ガスとを同時に導入しながら、高周波電力を投入して前記膜原料上にプラズマを発生させ、このプラズマにより前記膜原料表面の温度を上昇させるとともに、この膜原料を前記導入ガスの正イオンでスパッタリングすることにより、膜原料の少なくとも一部を分子状態で跳びださせ、この分子状態の膜原料によって基板上へ膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/40 ,  G02B 1/11

FI (5件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/34 B ,  C23C 14/06 G ,  C23C 14/40 ,  G02B 1/10 A