有機極性溶媒を含有するフォトレジスト組成物中の混入金属イオンをイオン交換により低減する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江崎光史 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-527310
公開番号（公開出願番号）：特表2001-506375
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】本発明は、洗浄したカチオン交換樹脂およびアニオン交換樹脂を用いて非常に低レベルの混入金属しか含有しないフォトレジスト組成物を製造する方法において、フォトレジスト組成物が極性溶媒を含有する上記方法を提供する。このようなフォトレジスト組成物を使用して半導体デバイスを製造する方法も提供される。

請求項（抜粋）：

フォトレジストを製造する方法において、a)カチオン交換樹脂を水で洗浄し、上記カチオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄し、次いで上記カチオン交換樹脂を再び水で洗浄し、それによってカチオン交換樹脂中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルを、100PPB未満に低減すること;b)アニオン交換樹脂を水で洗浄し、上記アニオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄し、次いで上記アニオン交換樹脂を再び水で洗浄し、上記アニオン交換樹脂を水酸化アンモニウムで洗浄し、次いで再び水で洗浄し、それによってナトリウムおよび鉄イオン全体を、100PPB未満に低減すること;c)感光剤および膜形成性樹脂をフォトレジスト溶媒中に溶解し、そしてそれによってフォトレジスト組成物を調製すること;d)段階c)のフォトレジスト組成物に、有機極性溶媒を含有する溶媒を添加すること;e)段階d)のフォトレジスト組成物を段階a)のカチオン交換樹脂に流し、次いで段階d)の上記フォトレジスト組成物を段階b)のアニオン交換樹脂に流すこと;f)有機極性溶媒を含有する溶媒を取り除き、そしてそれによってそれぞれ100PPB未満のナトリウムおよび鉄イオンのレベルを有するフォトレジスト組成物を調製すること;を包含する上記方法。

IPC (3件)：

G03F 7/032 , G03F 7/38 501 , C08L 61/06

FI (3件)：

G03F 7/032 , G03F 7/38 501 , C08L 61/06

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