特許

J-GLOBAL ID：200903058328559386

半導体用パッケージ及び該パッケージを用いた半導体モジュール

発明者： 山本 喜之 ,  齋藤 裕久 ,  今井 貴浩
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357310
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345922
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 放熱性に優れ、搭載時の半導体素子の割れを防止できる、安価な半導体用パッケージ、及びこれを用いた半導体モジュールを提供する。【解決手段】 半導体用パッケージは、半導体素子を搭載する基板として、気相合成で形成したダイヤモンド自立板からなる気相合成ダイヤモンド基板22か、又は気相合成ダイヤモンド層を有する基材を備え、該基板22又は基材に高熱伝導性の金属部材21を接合してある。金属部材21には、気相合成ダイヤモンド基板22又は前記基材の周囲に盛り上がり部26を設けることにより、マイクロ波やミリ波の漏洩を防止できる。この半導体用パッケージの半導体素子搭載部25に、MMIC等の高出力半導体素子を搭載して半導体モジュールとする。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載する気相合成ダイヤモンド基板と、該気相合成ダイヤモンド基板の半導体素子を搭載する面と反対側の面で該気相合成ダイヤモンド基板に接合した高熱伝導性の金属部材とを備え、該金属部材が気相合成ダイヤモンド基板の周囲に該気相合成ダイヤモンド基板の表面に達する盛り上がり部を有することを特徴とする半導体用パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L 23/36 Z ,  H01L 23/36 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭62-297299
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-297299
  
• 特開昭62-297299
  
• 特開昭62-297299