特許

J-GLOBAL ID：200903058330450111

マルチビームレーザダイオード

発明者： 本多 正治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309873
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138417
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【目的】ビーム配列に自由度があり、ビーム間隔を狭くすることができるマルチビームレーザダイオードを提供すること。【構成】本発明のマルチビームレーザダイオードは、半導体基板2一方の面2aに第1のレーザダイオード4を形成し、半導体基板2の他方の面2bに発振波長が前記第1のレーザダイオードと異なる第2のレーザダイオード3を形成したことを特徴とする。基板2の表裏面に発振波長が相違するレーザダイオードを形成するので、従来のハイブリッドタイプ構成に比べて、チップの組み立て作業性を良好にすることができる。加えて、ビーム配列の自由度を高めることができるとともに、ビーム間隔を狭くすることができる。

請求項（抜粋）：

基板の一方の面と他方の面に結晶成長させて第1、第2のレーザダイオードを形成したことを特徴とするマルチビームレーザダイオード。

Fターム (2件)：

5F073AA89 ,  5F073AB06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-134492
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-136477   出願人：日本板硝子株式会社