特許
J-GLOBAL ID：200903058336391672
厚膜電極の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
町田 袈裟治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237026
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 圧電性のセラミック基板に安定した厚膜電極を形成でき、厚膜電極の品質を向上できる厚膜電極の形成方法を提供することを目的としている。【構成】 圧電性のセラミック基板の表裏の両主面に接合用のガラスの薄膜を形成し、前記セラミック基板の表面を改質した後、銀ペーストを塗布して厚膜電極を形成することを特徴とする厚膜電極の形成方法。
請求項（抜粋）：
圧電性のセラミック基板の表裏の両主面に接合用のガラスの薄膜を形成し、前記セラミック基板の表面を改質した後、銀ペーストを塗布して厚膜電極を形成することを特徴とする厚膜電極の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 41/24
, C04B 41/88
, C04B 41/90
, H01L 41/04
, H03H 3/02
