特許
J-GLOBAL ID:200903058337795734

短電気パルス発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-301552
公開番号(公開出願番号):特開平9-148895
出願日: 1995年11月20日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 光短パルス程度のパルス幅の短電気パルスを得る。【解決手段】 半絶縁基板1上に伝送ライン2a〜2cが形成され、各伝送ライン間が第1および第2の狭小ギャップ(第1および第2のフォトコンダクタ部3a,3b)により隔てられたフォトコンダクタを有し、各狭小ギャップに照射される短光パルスに応じて伝送ライン上に短電気パルスを発生する電気パルス発生手段と、各狭小ギャップに短光パルスを照射する短光パルス照射手段(集光レンズ4a,4b、LD5a,5b、ドライバー6a,6b、SG7)と、狭小ギャップの一方に照射される短光パルスに対して、伝送ライン上に発生する短電気パルスのパルス高が最大となるように遅延を与える遅延手段(PG8)と、を有する。
請求項(抜粋):
半絶縁基板上に導体薄膜よりなる第1乃至第3の伝送ラインが形成され、各伝送ライン間が第1および第2の狭小ギャップにより隔てられたフォトコンダクタを有し、各狭小ギャップに照射される短光パルスに応じて前記第1乃至第3の伝送ライン上に短電気パルスを発生する電気パルス発生手段と、半導体レーザーを備え、前記第1および第2の狭小ギャップに短光パルスを照射する短光パルス照射手段と、前記第1および第2の狭小ギャップの一方に照射される短光パルスに対して、前記第1乃至第3の伝送ライン上に発生する短電気パルスのパルス高が最大となるように遅延を与える遅延手段と、を有することを特徴とする短電気パルス発生装置。
IPC (2件):
H03K 3/42 ,  H01L 31/12
FI (2件):
H03K 3/42 C ,  H01L 31/12 Z

前のページに戻る