特許

J-GLOBAL ID：200903058338933340

埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 山下 茂雄 ,  加藤 佳秋 ,  佐々木 真二 ,  依田 亮吉 ,  苅田 秀孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253923
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111361
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流に起因するしきい電流値の変動を低減し、埋込型半導体レーザ素子の信頼性を高める。【構成】 n型半導体基板1の主面上に、n型クラッド層2A、半導体活性層3A、p型クラッド層4Aの夫々を順次積層した積層構造からなるストライプ状の突出状島領域6が形成され、前記突出状島領域6の長手方向の両側壁面に凸状若しくは凹状の段差部7が形成され、前記突出状島領域6の長手方向の両側壁面側であって前記n型半導体基板1の主面上に、n型再成長界面ホモ接合化層8、p型電流ブロック層9、n型電流ブロック層10の夫々が順次埋め込まれ、前記突出状島領域6の段差部7に、前記n型再成長界面ホモ接合化層8とp型電流ブロック層9との間の再成長界面が固定され、かつ前記n型電流ブロック層10上及びp型クラッド層4A上にp型平坦化層12が形成された埋込型半導体レーザ素子。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板の主面上に、このn型半導体基板の主面側からn型クラッド層、半導体活性層、p型クラッド層の夫々を順次積層した積層構造からなるストライプ状の突出状島領域が形成され、前記突出状島領域の長手方向の両側壁面に、前記半導体活性層の側壁面とp型クラッド層の側壁面若しくはn型クラッド層の側壁面とで形成される凸状若しくは凹状の段差部が形成され、前記突出状島領域の長手方向の両側壁面側であって前記n型半導体基板の主面上に、このn型半導体基板の主面側からn型再成長界面ホモ接合化層、p型電流ブロック層、n型電流ブロック層の夫々が順次埋め込まれ、前記突出状島領域の両側壁面に形成された凸状若しくは凹状の段差部に、前記n型再成長界面ホモ接合化層とp型電流ブロック層との間の再成長界面が固定され、かつ前記n型電流ブロック層上及びp型クラッド層上にp型平坦化層が形成されていることを特徴とする埋込型半導体レーザ素子。