特許
J-GLOBAL ID：200903058341215505
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222538
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069201
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、寄生容量の増加を招くことなく、また、エッチング制御の困難さを伴うことなく配線の密な部分と疎な部分とに形成される絶縁膜の高低差をなくして平坦化された多層配線を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 配線3の厚さがdであり、配線3の最小幅と配線相互間の最小間隔とがfである配線パターンと、配線パターンの配線間隔が2d+2fを越える領域と最外周配線パターンの外側の領域とに、配線パターンからの距離がおゝむねd+f/2となるように形成され、幅が少なくともf以上であり、厚さがおゝむねdに等しい第1絶縁膜パターン51と、第1絶縁膜パターン51と配線パターンとを覆い、両パターン間の凹部を埋め込む第2絶縁膜15とをもって構成される。
請求項（抜粋）：
配線(3)の厚さがdであり、配線(3)の最小幅がfであり、配線相互間の最小間隔がfである配線パターンと、該配線パターンの配線間隔が2d+2fを越える領域と最外周配線パターンの外側の領域とに、該配線パターンからの距離がおゝむねd+f/2となるように形成され、幅が少なくともf以上であり、厚さがおゝむねdに等しい第1絶縁膜パターン(51)と、該第1絶縁膜パターン(51)と前記配線パターンとを覆い、両パターン間の凹部を埋め込む第2絶縁膜(15)とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
