特許
J-GLOBAL ID：200903058354475620
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293937
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 通電時の動作電圧の増加または活性層の劣化を防止し、長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層7とp型ZnSe/ZnTeMQW層13との間の部分、例えばp型ZnSSeキャップ層10とp型ZnSeコンタクト層12との界面にII-VI族化合物半導体からなる電子阻止層、例えばp型Zn1-x Mgx Se電子阻止層11を挿入する。あるいは、活性層7とp型ZnMgSSeクラッド層9との間の部分またはp型ZnMgSSeクラッド層9中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 電子阻止層を挿入し、活性層7とn型ZnMgSSeクラッド層との間の部分またはn型ZnMgSSeクラッド層中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 正孔阻止層を挿入する。
請求項（抜粋）：
活性層をn型クラッド層とp型クラッド層とによりはさんだ構造を有するとともに、p側電極コンタクト部に多重量子井戸層を有し、上記活性層、上記n型クラッド層、上記p型クラッド層および上記多重量子井戸層は、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種のVI族元素とにより構成されたII-VI族化合物半導体からなる半導体発光素子において、上記活性層と上記多重量子井戸層との間に上記II-VI族化合物半導体からなる電子阻止層が少なくとも一層挿入されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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