特許

J-GLOBAL ID：200903058355110749

半導体薄膜結晶化方法及びレ-ザ照射装置

発明者： 菅野 幸保 ,  藤野 昌宏 ,  浅野 明彦 ,  眞野 三千雄 ,  猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002386
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208415
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 レーザ照射装置の出力性能及び繰り返し再現性を改善して、半導体薄膜結晶化方法の生産性及び再現性を改善する。【解決手段】 まず成膜工程を行ない、基板0の上に非晶質の半導体薄膜4を形成する。次に照射工程を行ない、レーザ光50を基板0に対して相対的に走査しながら半導体薄膜4に繰り返し間欠的に照射して非晶質から多結晶に転換する。大出力レーザ照射装置を用いており、総エネルギーが10J以上のレーザ光50を一回当たり10cm2 以上の面積で半導体薄膜4に繰り返し照射する能力がある。レーザ光50を繰り返し周波数が10Hz以上で照射しており、これにより半導体薄膜結晶化方法の生産性(スループット)を改善可能である。又、10cm2 以上の矩形面積内のエネルギー分布が±2%以下で繰り返し照射間のエネルギーの変動が±1%以下に制御されたレーザ光50を用いて、半導体薄膜4の結晶化を図っている。これにより大粒径で且つ粒径サイズが揃った多結晶半導体薄膜5を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜を形成する成膜工程と、総エネルギーが10J以上のエネルギービームを基板に対して相対的に走査しながら一回当たり10cm2以上の面積で該半導体薄膜に繰り返し間欠的に照射して非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程とからなる半導体薄膜結晶化方法において、前記照射工程は、該エネルギービームを繰り返し周波数が10Hz以上で照射することを特徴とする半導体薄膜結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (38件)：

5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA13 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ09