特許

J-GLOBAL ID：200903058357066470

炭化ケイ素層のデュアル周波数プラズマ励起化学気相成長

発明者： スリニヴァス ディ ネマニ ,  リー-チャン シャ ,  エリー ヤー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277088
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198317
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 集積回路の製造処理において利用される炭化ケイ素層の形成方法を開示する。【解決手段】 ケイ素ソース、炭素ソース、不活性ガスを含むガス混合物を電界の存在下で反応させることにより炭化ケイ素層を形成する。電界は混合周波数高周波(RF)電力を用いて発生される。炭化ケイ素層は集積回路の製造処理に適合する。1つの集積回路の製造処理では、集積回路構造、例えばダマシン構造等の製造の為に炭化ケイ素層をハードマスクとして使用する。別の集積回路の製造処理では、上記炭化ケイ素層がDUVリソグラフィ用に反射防止コーティング(ARC)として使用される。

請求項（抜粋）：

層の堆積方法であって、基板を堆積チャンバに配置するステップと、ケイ素ソースと炭素ソースと不活性ガスとを有するガス混合物を、堆積チャンバに供給するステップと、混合周波数の高周波(RF)電力を用いて発生した電界の存在下で、ガス混合物を反応させて、炭化ケイ素(SiC)層を基板上に形成するステップとを有する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/30 574

Fターム (56件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ22 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045DA62 ,  5F045EE12 ,  5F045EH19 ,  5F045GB16 ,  5F045HA13 ,  5F046PA11