特許
J-GLOBAL ID：200903058360193202
貫通型コンデンサの電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022402
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235461
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 貫通型コンデンサの電極を構成する無電解メッキ層間の剥離強度を、剥離促進のための層を形成することなく、任意の値に容易かつ確実に調節する。【構成】 セラミック素体表面上の第一層のメッキ層に共析するフッ素樹脂含有量を制御することにより、第一層のメッキ層と第2層以降のメッキ層との間の剥離強度を調節する。【効果】 第一層のメッキ層中のフッ素樹脂含有量が多いほど、層間剥離強度が小さい。第一層のメッキ層中のフッ素樹脂含有量は、第一層形成用のメッキ液中のフッ素樹脂含有量を増減させることにより、増減できる。
請求項（抜粋）：
セラミック素体表面に無電解メッキ処理によりメッキ層を形成して貫通型コンデンサの電極を形成する方法であって、該無電解メッキ処理により形成されるメッキ層は、少なくともセラミック素体表面上の第一層のメッキ層と、該第一層のメッキ層上の第2層のメッキ層とを含む複数層のメッキ層である貫通型コンデンサの電極形成方法において、該第一層のメッキ層に共析するフッ素樹脂の含有量を制御することにより、該第一層のメッキ層と該第二層以降のメッキ層との間の剥離強度を調節することを特徴とする貫通型コンデンサの電極形成方法。
IPC (3件)：
H01G 13/00 391
, C23C 18/52
, H01G 4/35
