特許
J-GLOBAL ID：200903058362906931
PMOSトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190185
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013399
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 ドレイン領域およびソース領域のPマイナス不純物領域の結晶構造に起因する永久破壊を防止する。【構成】 ドレイン領域16およびソース領域17のPマイナス不純物領域16a、17aとフィールド酸化膜12とを離間させる。このようにすると、LOCOS法でフィールド酸化膜12を形成したときの結晶構造の歪みがPマイナス不純物領域16a、17aには生じない。その結果、ドレイン領域16とNウェル層11、あるいはソース領域17とNウェル層11で形成されるダイオードの逆方向耐圧が強くなるので、ブレークダウンが発生しても、永久破壊には至らなくなる。
請求項（抜粋）：
フィールド酸化膜により素子分離され、ドレイン領域およびソース領域がPマイナス不純物領域とPプラス不純物領域とによって構成されたPMOSトランジスタにおいて、前記ドレイン領域および前記ソース領域のPマイナス不純物領域と前記フィールド酸化膜とが離間されていることを特徴とするPMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
