特許

J-GLOBAL ID：200903058366683961

AlGaAs系半導体レーザ素子

発明者： 石田 真也 ,  渡辺 昌規
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141439
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335735
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 p型クラッド層のn反転を防ぎ、動作電流の少ない半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 n型基板上に、少なくとも、Siドープn型クラッド層、活性層、第1のZnドープp型クラッド層、及び電流ブロック層をMOCVD法により成長させ、前記電流ブロック層にストライプ状の溝を形成した後、第2のp型クラッド層を再成長させた半導体レーザ素子であって、前記電流ブロック層はSeドープn型第1電流ブロック層と、Siドープn型第2電流ブロック層とが順に形成されてなることによる。

請求項（抜粋）：

n型基板上に、少なくとも、Siドープn型クラッド層、活性層、第1のZnドープp型クラッド層、及び電流ブロック層をMOCVD法により成長させ、前記電流ブロック層にストライプ状の溝を形成した後、第2のp型クラッド層を再成長させた半導体レーザ素子であって、前記電流ブロック層はSeドープn型第1電流ブロック層と、Siドープn型第2電流ブロック層とが順に形成されてなることを特徴とするAlGaAs系半導体レーザ素子。