特許

J-GLOBAL ID：200903058366716282

表面弾性波デバイスの実装構造

発明者： 佐田 龍一
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128859
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307195
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 特別にリセスを加工された回路基板を用いる必要がなく、表面弾性波デバイス自体を外力及び内圧や熱ひずみから充分に保護できる構造の表面弾性波デバイスの実装構造を得るにある。【構成】 表面波伝搬路4を形成するデバイスチップ1の機能面1aを、実装される回路基板の実装面に対面させ、前記機能面1aと前記実装面との間に振動空間を保った状態として、デバイスチップ1の周囲を封止樹脂で被覆する表面弾性波デバイスの実装構造において、前記デバイスチップ1の背面1bから実装用バンプ6の先端までの高さh2よりも浅い深さh1の収容空間11を下面10aに形成した封止ブロック10の前記収容空間11底面に前記デバイスチップ1の背面1bを接着し、前記実装バンプ6を回路基板の導電層5aに接続した状態で前記封止ブロック10の下面10aと前記実装面との間に僅かの隙間を形成し、前記封止ブロック10の周囲を封止樹脂9で機密封止した表面弾性波デバイスの実装構造。

請求項（抜粋）：

表面波伝搬路を形成するデバイスチップの機能面を、実装される回路基板の実装面に対面させ、前記機能面と前記実装面との間に振動空間を保った状態として、デバイスチップの周囲を封止樹脂で被覆する表面弾性波デバイスの実装構造において、前記デバイスチップの背面から実装用バンプの先端までの高さよりも浅い深さの収容空間を下面に形成した封止ブロックの前記収容空間底面に前記デバイスチップの背面を接着し、前記実装バンプを回路基板の導電層に接続した状態で前記封止ブロックの下面と前記実装面との間に僅かの隙間を形成し、前記封止ブロックの周囲を封止樹脂で機密封止したことを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。