特許

J-GLOBAL ID：200903058369188473

半導体装置

発明者： 新田 芳憲
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051249
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259381
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】半導体基板8上の絶縁層上に形成された下部電極1上で、絶縁膜を挟み形成された上部電極2と、下部電極1および上部電極2と導通をとる下部引き出し電極5および上部引き出し電極3とを備え、上部引き出し電極3は下部電極1上の領域に含まれる突起部13を有する。【効果】コンデンサの下部電極1上の領域に配線13が配置されることがなく、配線13による寄生容量は生じない。従って、配線13の配置によるコンデンサ容量のくるいがない。特に、複数のコンデンサの容量比が回路の特性を決定する場合のように、コンデンサの厳密な容量比を求められるところに極めて有効である。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁層上に形成された下部電極と、前記下部電極上、絶縁膜を挟み形成された上部電極と、前記下部電極と導通をとる下部引き出し電極と、前記上部電極と導通をとる上部引き出し電極とを備え、前記上部引き出し電極は前記下部電極上の領域に含まれる突起部を有することを特徴とする半導体装置。