特許
J-GLOBAL ID：200903058369432110
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086748
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288300
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 微細で有効な、エミッタ・ベース接合の保護構造を容易に形成できるようにすることを目的とする。【構成】 スペーサ層4は、ドーピング濃度をエミッタ層3よりも十分に低くし、その膜厚を100Å程度以下に薄くして動作状態では空乏化下状態となるようにする。また、このスペーサ層4は、ベース層5の多数キャリアおよび少数キャリアに対してはポテンシャル障壁として働き、エミッタ層3の多数キャリアに対してはポテンシャル障壁が100meV以下とほとんどない状態とする。
請求項（抜粋）：
第1導電形のコレクタ層、この上に形成された第2導電形のベース層、この上に形成された第1導電形のエミッタ層から構成された積層構造を含み、それぞれの層に接続する電極が設けられ、前記ベース層がエミッタ層下の領域より延長している外部ベース領域にこのベース層に接続する電極が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記ベース層上全面に形成されたスペーサ層を有し、このスペーサ層は、前記エミッタ層にドーピングされている不純物濃度以下の不純物濃度を有し、前記ベース層の少数キャリアおよび多数キャリアに対してポテンシャル障壁として働き、前記ベース層の多数キャリアに対するポテンシャル障壁は前記エミッタ層のポテンシャル障壁よりも高く、前記エミッタ層の多数キャリアに対しては100meV以下の障壁として働き、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの動作状態では空乏化するように形成されたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
