特許

J-GLOBAL ID：200903058374215527

滑らかな表面を有するようにポリシリコンをエッチングする方法

発明者： ジツケ トレヴァー ,  シャシャンク デスムク ,  ジェフ チン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261879
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160551
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 エッチバックされたポリシリコン表面を滑らかにする。【解決手段】 ポリシリコンのエッチバック中に、制御された量の酸素(O2)がプラズマ発生供給ガスに添加され、エッチバックされたポリシリコン表面のピットが減少する。プラズマエッチング剤は、(i)少なくとも1つのフッ素含有ガスと、(ii)酸素からなるプラズマ源ガスから、発生する。本発明は、ポリシリコンをプラズマエッチング剤に晒す多くの装置で実行することが出来る。減結合プラズマ源エッチングシステム、磁気強化プラズマエッチングシステム等である。本発明は、メモリーと、メモリーと通信し命令を実行するプロセッサーと、プロセッサーからの命令に従って基板をエッチング剤に晒すエッチングチャンバと、プロセッサーとエッチングチャンバの間で通信を行うポートとを有する装置で実行するのが好ましい。

請求項（抜粋）：

ポリシリコンをエッチングする方法であって、(i) 少なくとも1つのフッ素含有ガスと、(ii) 酸素と、を含むプラズマ源ガスから生成されるプラズマエッチング剤を使用して、ポリシリコンをエッチバックし、エッチバック後に残るポリシリコン層の部分は、エッチバック中にプラズマエッチング剤に直接晒されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 27/10 625 Z