特許

J-GLOBAL ID：200903058377647533

混晶半導体単結晶の成長方法

発明者： 藤原 伸介 ,  入倉 正登 ,  龍見 雅美
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156823
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010676
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【目的】 均一な組成分布を有する混晶半導体単結晶を成長する方法を提供しようとするものである。【構成】 混晶半導体融液を坩堝に収容し、縦型炉内で坩堝の下端より固化させて混晶半導体単結晶を成長する方法において、固液界面近傍の液相密度が、坩堝内の液相密度の平均値より大きくなるように混晶組成を選択することをを特徴とする混晶半導体単結晶の成長方法である。

請求項（抜粋）：

混晶半導体融液を坩堝に収容し、縦型炉内で坩堝の下端より固化させて混晶半導体単結晶を成長する方法において、固液界面近傍の液相密度が、坩堝内の液相密度の平均値より大きくなるように混晶組成を選択することをを特徴とする混晶半導体単結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 ,  C30B 28/06 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭52-024166
  
• 特公昭57-031556
  
• 特開昭63-081918
  
• 特開昭52-024167