特許

J-GLOBAL ID：200903058378697798

半導体装置の製造方法

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044981
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243943
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 プラスチックシートに直接、半導体素子を形成することにより、石英基板などに代えてプラスチックシートを用いた半導体装置および液晶装置を安価に製造する方法を提供すること。【解決手段】 液晶装置のアクティブマトリクス基板を製造するにあたって、その基体として用いるプラスチックシート50をシート支持用基板55に積層し(積層工程ST1)、この状態のままで、プラスチックシート50に対して半導体プロセスを用いて、TFTなどを形成する(素子形成工程ST2)。このようにしてプラスチックシート50を基体にしてアクティブマトリクス基板2を製造した後は、プラスチックシート50(アクティブマトリクス基板2)をシート支持用基板55から剥離し(剥離工程ST3)、液晶装置を組み立てる。

請求項（抜粋）：

プラスチックシート上に半導体素子が形成された半導体装置の製造方法であって、前記プラスチックシートをシート支持用基板に積層する積層工程と、該シート支持用基板に積層された前記プラスチックシート上に半導体素子を形成する素子形成工程と、しかる後に当該プラスチックシートを前記シート支持用基板から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/12 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D

Fターム (40件)：

2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA09 ,  2H092MA13 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA31 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17