特許

J-GLOBAL ID：200903058385770581

シリコンの酸化方法及びそれを用いた単結晶シリコン酸化膜の製造方法

発明者： 村田 好正 ,  尾関 雅志
出願人/特許権者： 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015853
公開番号（公開出願番号）：特開2000-211998
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】 これまで実現されていなかったゲート酸化膜としてのシリコン酸化膜を単結晶化することにより、膜中に存在する電子又は正孔捕獲中心濃度を大幅に減少させ、かつ界面特性を向上させて、シリコン集積回路の高集積化、高速化、高信頼化を達成することを目的とする。【解決手段】 単結晶基板上に担持させたシリコン膜を原子状水素の存在下酸化してシリコン酸化膜を形成させたのち、アニールして単結晶化させる。

請求項（抜粋）：

シリコンを原子状水素の存在下で酸素と接触させることを特徴とするシリコンの酸化方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 504 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

C30B 29/06 504 K ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BB03 ,  4G077FE04 ,  4G077FE19 ,  5F040DC00 ,  5F040DC01 ,  5F040DC10 ,  5F040ED03 ,  5F040FC00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BE01 ,  5F058BE04 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BF53 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF57 ,  5F058BF60 ,  5F058BF61 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01