高融点金属のエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106327
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318573
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】密着層と高融点金属層との積層膜を1ステップで異方性加工できるプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 W膜14とTiN膜13とを、Cl2+HBrの混合ガスでプラズマエッチングする。その条件は、Cl2/HBr=75/25sccM,マイクロ波出力300W,RF出力10W,ステージ温度70°C,圧力0.4Paとした。このエッチングで、W膜14のエッチングレートが250nm/分,TiN膜13が150nm/分であった。また、TiN膜13:シリコン酸化膜12の選択比は50:1が得られた。このように、W膜とTiN膜とが1ステップで異方性加工することができた。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に、密着層,高融点金属層が順次積層された構造に対して、該高融点金属層及び該密着層をプラズマエッチングする高融点金属のエッチング方法において、前記プラズマエッチングに用いるエッチングガスに複数種の混合ガスを用いることを特徴とする高融点金属のエッチング方法。

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