特許

J-GLOBAL ID：200903058390418160

薄膜太陽電池

発明者： 根上 卓之 ,  林 茂生 ,  和田 隆博 ,  小原 直樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325801
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163376
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 光吸収層の薄膜化にともなう裏面電極での再結合によるキャリアの消滅や光吸収量の低減を抑制する太陽電池の構成を提供し、光吸収層を薄膜化しても高い変換効率を示す薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 III族元素としてIn及びGaを用いる光吸収層となるI族とIII族とVI族元素からなる半導体薄膜3において、膜の厚さ方向に対しInとGaの組成比の相対値が変化する分布を有する半導体薄膜を用いる構成である。特に、半導体薄膜の膜の厚さ方向に対し、III族元素中に占めるGaの組成比が電極膜2側から窓層4,5側へと減少する分布を有する半導体薄膜を用いる構成が有効である。以上の構成により裏面での再結合によるキャリアの消滅を抑制でき、光吸収層3の薄膜化による太陽電池の効率の低下を防ぐことが可能である。

請求項（抜粋）：

膜厚が1μm以下のI族とIII族とVI族元素からなる半導体薄膜を光吸収層に用いる薄膜太陽電池。