特許
J-GLOBAL ID：200903058392472618
気相成長装置及び装置内のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223906
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062912
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 基板ホルダに堆積した堆積物を除去する際に、基板ホルダの基板が載置されていた部分の腐食等を防止する。【構成】 基板4に半導体薄膜を気相成長させた後、基板受け20で基板ホルダ1上の基板4を第1予備室16に収納する。そして、第2予備室17から基板ホルダ保護板23を基板ホルダ1の基板4が載置されていた部分に載置して、反応炉3内にエッチングガス供給装置9からエッチングガスを流し、基板ホルダ1に堆積した堆積物を除去する。
請求項（抜粋）：
反応炉内に原料ガスを供給し前記反応炉内に配置した基板ホルダ上の基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基板ホルダ上に堆積した堆積物を除去するためのガスを前記反応炉内に供給するガス供給装置と、前記基板ホルダに堆積した堆積物を除去する際に前記基板ホルダの前記基板が載置されていた部分を前記ガスから保護する保護手段とを具備したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
