特許
J-GLOBAL ID：200903058393117870
シリコンウェハのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190528
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 金属電極等が配線されているシリコンウェハをエッチングする。【構成】 金属電極等が配線されているパターン面を保護するために、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接合し、しかも接合されたホウケイ酸ガラスがパターン等と接触しないように、あらかじめパターン部となるところのシリコンウェハをエッチングし、段差を形成しておく。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハ上の金属電極等が配線されているパターン面に、ホウケイ酸ガラスを陽極接合し、シリコンウェハ上のパターン面を保護することを特徴とするシリコンウェハのエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, C23F 1/00 102
