特許

J-GLOBAL ID：200903058394910906

多層配線形成法

発明者： 藤岡 俊夫
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-277133
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090425
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 多層配線形成法において、高信頼の層間接続部を簡単に得る。【構成】 半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上に第1の配線層14を形成した後、配線層14を覆ってPSG等の第1の堆積絶縁膜16、SOG等の塗布絶縁膜18及びBPSG等の第2の堆積絶縁膜20を含む層間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜に対して選択エッチングにより塗布絶縁膜18にアンダーカットが生ずるように接続孔を形成した後、堆積絶縁膜20を流動化すべくアニール処理を行なうことにより接続孔内で塗布絶縁膜18の端縁を堆積絶縁膜20で覆うと同時に堆積絶縁膜20を接続孔の開口端に相当する部分で丸める。この後、接続孔を介して第1の配線層14と接続されるように第2の配線層22を堆積絶縁膜20の上に形成する。

請求項（抜粋）：

(a)基板の絶縁性表面の上に第1の配線層を形成する工程と、(b)前記第1の配線層を覆って前記基板の絶縁性表面の上に第1の堆積絶縁膜、塗布絶縁膜及び第2の堆積絶縁膜を順次に形成して層間絶縁膜を構成する工程と、(c)前記塗布絶縁膜にアンダーカットが生ずるように前記層間絶縁膜に選択エッチング処理を施して前記第1の配線層の一部に対応した接続孔を形成する工程と、(d)前記第2の堆積絶縁膜を流動化すべくアニール処理を行なうことにより前記接続孔の内部で前記塗布絶縁膜の端縁を前記第2の堆積絶縁膜で覆い且つ前記第2の堆積絶縁膜を前記接続孔の開口端に相当する部分で丸める工程と、(e)前記層間絶縁膜の上に前記接続孔を介して前記第1の配線層と接続されるように第2の配線層を形成する工程とを含む多層配線形成法。