特許

J-GLOBAL ID：200903058399453899

半導体装置の試験装置および試験方法

発明者： 寺戸 洋子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164536
公開番号（公開出願番号）：特開2001-343429
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】パルス幅の小さい出力波形をテストすることができ、試験装置にかかるコストの低減を達成可能な半導体装置の試験装置および試験方法を提供する。【解決手段】半導体装置(DUT)2に所定のテスト信号を発生するテスト信号発生部(14,15,16,18)と、DUTからの出力信号の値を一定期間の間連続して所定の設定値と比較してDUTの良不良を判定する比較判定部(11,17)とを有し、当該比較判定部(11,17)において、一定期間中の出力信号と設定値を比較して、一定期間を通して出力信号の値が設定値を越えない場合に、DUT2に対して例えば不良の判定を行い、一定期間中に設定値を越える出力信号の値がある場合に、DUT2に対して良品の判定を行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置からの出力信号に応じて前記半導体装置の良不良を判定する半導体装置の試験装置であって、前記出力信号と所定の設定値とを一定期間連続して比較して、前記一定期間を通して前記出力信号の値が前記設定値を越えない場合に、前記半導体装置に対して良または不良の第1の判定を行い、前記一定期間中に前記設定値を越える前記出力信号の値がある場合に、前記半導体装置に対して前記第1の判定と異なる第2の判定を行う比較判定部を有する半導体装置の試験装置。

IPC (2件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 H

Fターム (14件)：

2G003AA07 ,  2G003AE03 ,  2G003AE06 ,  2G003AF06 ,  2G003AH02 ,  2G032AB01 ,  2G032AD06 ,  2G032AD07 ,  2G032AE07 ,  2G032AE08 ,  2G032AF10 ,  2G032AG02 ,  2G032AG07 ,  2G032AH04