半導体装置の製造方法及び熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999000558
公開番号（公開出願番号）：WO1999-041777
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月19日
要約：

【要約】絶縁基板及びその絶縁基板に形成した半導体薄膜面に熱応力等の弊害を生ずることなく、安定したアニールを行うことのできる半導体装置の製造方法及び熱処理装置を提供することを目的に、アモルファスシリコン膜(2)が形成された基板(1)の熱処理方法であって、加熱工程で基板(1)の一方の面側から2.5〜5μmの波長帯域を有する中間赤外線(100)を照射して基板(1)を予熱した後、熱処理工程で基板(1)の他方の面側から2.5μm以下の波長帯域を有する近赤外線(200)を照射して800°C以上1000°C以下の温度でアモルファスシリコン膜(2)をアニールして結晶化させる。

請求項（抜粋）：

基板に形成された薄膜を熱処理する半導体装置の製造方法において、前記基板の一方の面側から当該基板に向けて

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/26

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