特許

J-GLOBAL ID：200903058402886807

マグネトロンカソード電極

発明者： 細川 直吉 ,  金 京植
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308054
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148639
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 ターゲットの不均一イオン衝撃をなくし、比較的に大型の矩形基板に静止対向状態で薄膜形成する。【構成】 比較的に広い平面を有する平板状ターゲットを備え、ターゲットの表面近傍に環状トンネル形態の磁力線分布を形成する磁石組立体をターゲットの裏側に配置し、この磁石組立体を電極内部の空間で所定の軌道に沿って移動させる駆動機構と、磁石組立体の全体の形態を保持し且つ軌道形状に応じて磁石組立体の形態を局部的に変形させるリンク機構を備え、磁石組立体の形態に対応して磁力線分布が形成され且つ磁石組立体の移動に伴いターゲット表面上で磁力線分布が移動するように構成される。磁力線分布は、閉じた環状トンネルの領域を形成し、この領域は広い面積のターゲットの表面を所定速度で移動する。磁石組立体は、一列状に配置された中央磁極群と、この中央磁極群を囲むように配列された環状の外周磁極群とから構成される。

請求項（抜粋）：

薄膜を形成するスパッタリング装置に適用され、前記薄膜が形成される基板に対向する比較的に広い平面を有するターゲットを備えるマグネトロンカソード電極であり、前記ターゲットの表面近傍に環状トンネル形態の磁力線分布を形成する磁石組立体と、前記磁石組立体を電極内部の空間で所定の軌道に沿って移動させる駆動機構と、前記磁石組立体の形態保持と局部的変形を行うリンク機構を備え、前記磁石組立体の形態に対応して前記磁力線分布が形成され且つ前記磁石組立体の移動に伴い前記ターゲット表面上で前記磁力線分布が移動することを特徴とするマグネトロンカソード電極。