特許
J-GLOBAL ID：200903058405183629
半導体製造装置用真空チャンバ及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106635
公開番号（公開出願番号）：特開平11-300481
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】【課題】 大型の設備を使用することなく、低コストで組み立てることができ、寸法精度が高い半導体製造装置用真空チャンバ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 真空容器として使用されるアルミニウム製真空チャンバにおいて、角筒状の側壁部1の上に、階段状の突合せ部4を有する表面蓋2を嵌合させ、表面蓋2の周縁部の上面をアルミニウム又はアルミニウム合金よりも硬い金属からなるツール2を自転させた状態で接触させ、この周縁部に沿ってツール3を移動させる。これにより、ツール3と表面蓋2との摩擦熱を利用して表面蓋2と側壁部1の上端面とが固相接合される。
請求項（抜粋）：
底板及び/又は表面蓋と、側壁部材とがアルミニウム又はアルミニウム合金により別体で作られていて、側壁部材と底板及び/又は表面蓋とがアルミニウム又はアルミニウム合金より硬い金属との摩擦熱を使用した摩擦接合法により接合されて構成されていることを特徴とする半導体製造装置用真空チャンバ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B23K 20/12 G
, B01J 3/00 K
