特許

J-GLOBAL ID：200903058416752331

薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法

発明者： 木村 ナナ子 ,  坂井 裕一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164146
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012625
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 絶縁保護膜形成後の基板の反りを小さくし、それ以後の製造工程を容易に、かつ精度よく進めることができ、また、ヘッド自体にも余計な応力がかからず、磁気特性も向上する薄膜磁気ヘッドを得る。【構成】 基板1上に下部磁気コア4と上部磁気コア7が形成され、この上部磁気コア7に磁気ギャップ9が形成された平面型の薄膜磁気ヘッドの絶縁保護膜を形成する際、内部応力の異なったアルミスパッタ膜10Aとシリコンスパッタ10Bを交互に25回形成して積層型絶縁保護膜10とし、全体として内部応力を0にすることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ヘッド素子基板の表面に設けられたコイル接続端子および下部磁気コアと、その上に絶縁層を介して設けられたコイルと、前記下部磁気コアと磁気的に接合するとともに磁気ギャップが形成された上部磁気コアと、さらに前記上部磁気コアを覆うとともに表面が平坦化され、前記磁気ギャップ面を露出させた絶縁保護膜とを備えた平面型の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶縁保護膜を圧縮と引っ張りの絶対値が等しく互いに反対方向の内部応力をもつ異種の絶縁保護物質を交互に積層し全体として内部応力を0とした積層型絶縁保護膜の構成としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。