特許

J-GLOBAL ID：200903058419715429

半導体ウエハ及び結晶成長方法

発明者： 近江 和明 ,  津田 尚徳 ,  進藤 寿
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318237
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181073
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 良質のGaN単結晶を実現するヘテロエピタキシャル成長法を提供するとともに、GaNデバイスに使用可能な大面積GaNエピウエハ及びその製造方法を提供する。【構成】 GaNを主成分とする単結晶の結晶成長方法において、Gaを主成分とする冷却されたターゲット8と、スパッタリング・ガス16とN2 ガス20とを主成分とし、H2 以外の不純物ガス分圧が10-8torr以下の放電ガスとを用い、該スパッタリング・ガスの高周波プラズマ中のイオンのエネルギーを制御して結晶成長表面へイオン照射しながら結晶成長を行なう反応性スパッタリング法により、GaN以外の材料からなる基体5上に、GaNを主成分とする単結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。

請求項（抜粋）：

GaNを主成分とする単結晶層を有する半導体ウエハにおいて、GaN以外の材料からなる基体上に、Gaを主成分とする冷却されたターゲットと、スパッタリング・ガスとNを含むガスとを主成分とし、H2 以外の不純物ガス分圧が10-8torr以下の放電ガスとを用い、該スパッタリング・ガスの高周波プラズマ中のイオンのエネルギーを制御して結晶成長表面上へイオン照射しながら結晶成長を行なう反応性スパッタリング法により成長された、前記GaNを主成分とする単結晶層を有することを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/40 ,  H01L 33/00