特許

J-GLOBAL ID：200903058421811133

半導体装置

発明者： 有本 護
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270048
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082785
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 チャネル幅を増してソース・ドレイン間の伝達コンダクタンスを大にする。【構成】 チャネル幅方向の断面形状がほぼ逆U字形に形成されたポリシリコン10からなるゲート電極に電圧が印加されると、絶縁膜9を介した基板1のw〜x〜y〜zにわたる界面近傍にチャネルが形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介して基板に設けられたゲート電極の直下にチャネルが形成されている半導体装置において、チャネル幅方向におけるその両端部が基板方向に突出すべく形成されたゲート電極を備え、該ゲート電極の内壁に対応する基板界面近傍にチャネルが形成されるべくなしたことを特徴とする半導体装置。