特許
J-GLOBAL ID：200903058424409611
位相シフトマスク及びマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
蒲田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142745
出願日： 1991年01月07日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】マスクまたは位相シフトマスクの微細なパタンを高精度で形成すること。このような位相シフトマスクを提供すること。【構成】基板上に、遮光膜、位相シフタ及び合わせマークを有し、合わせマークは解像限界以下の寸法か又は遮光膜上に設けられている位相シフトマスク。位相シフトマスクの位相シフタのパタンを、合わせマークにより位置決めして描画して、形成する際に、合わせマークを素子パタンを形成するのに障害にならない位置に設けて行なうかまたは描画後に合わせマークを削除する。合わせマークにより所望の時間毎に位置決めを繰返しながら電子線線を照射してパタンを描画し、遮光膜や位相シフタのパタンを形成するマスクの製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に、所望のパタンの遮光膜、該基板の透過光に位相差を与えるための所望のパタンの位相シフタ及び該基板上のパタンが転写される第2の基板上の寸法に換算して解像限界以下の寸法の位置決めマークを有することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
