特許
J-GLOBAL ID：200903058426456897

研磨方法及び研磨装置

発明者：
ビッテンツェルナー エルマー

ビッテンツェルナー エルマー について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-220406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-058234
出願日： 1997年08月15日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェーハ等の被加工物の研磨時に、被加工物の冷却を促進して研磨能力を向上させ、鏡面研磨を可能とすると共に、厚さが例えば200μm以下となるように薄く研磨することを可能とする。【解決手段】研磨装置において、被加工物を保持するチャックテーブルの近傍にガス噴射手段を配設し、研磨水を供給しながらガス噴射手段から高圧エアーのようなガスを噴射することにより、被加工物とチャックテーブルとの接触部の僅かな隙間にも研磨水を侵入させて冷却効果を高める。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに対峙して配設された研磨手段と、該研磨手段を構成する研磨砥石と半導体ウェーハとに研磨水を供給する研磨水供給手段とを少なくとも含む研磨装置によって半導体ウェーハを研磨する研磨方法であって、前記チャックテーブルに保持された半導体ウェーハの面に回転する前記研磨砥石を接触させて研磨水を供給しながら前記半導体ウェーハを研磨する際に、前記研磨水が前記半導体ウェーハと前記研磨砥石との接触部に侵入するようにガスを噴射して研磨を遂行する研磨方法。
IPC (3件)：
B24B 55/03 ,  B24B 55/02 ,  H01L 21/304 321
FI (3件)：
B24B 55/03 ,  B24B 55/02 B ,  H01L 21/304 321 M
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 研削液供給装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-037152   出願人：日産自動車株式会社
  • 特開昭53-113393
  • 研削加工方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010844   出願人：株式会社牧野フライス製作所

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