特許

J-GLOBAL ID：200903058428164850

パターン形成方法及びそれを用いるデバイス製造方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325462
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144001
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 光と電子線のミックス・アンド・マッチ方式の露光において、電子線転写露光をコンプリメンタリーマスクを使わないで1回の転写で済ませる方法を提供する。【解決手段】 ドーナッツパターンを構成する環状の露光部50を4隅のコーナー部51と、コーナー部51で相互に分離された4本の直線部52とに分割する。そして、コーナー部51を紫外光DUVで光露光する一方、直線部52を電子線転写露光する。

請求項（抜粋）：

同一のレジスト層を電子線転写露光と光露光を併用して露光することによりパターン形成する方法であって;形成するパターンを、電子線転写露光により形成するパターンと、光露光により形成するパターンとに分ける際に、電子線転写露光用のレチクルをコンプリメンタリーな2枚のレチクルに分ける必要のないように両パターンを分けることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501

FI (2件)：

G03F 7/20 501 ,  H01L 21/30 502 A

Fターム (8件)：

2H097AA13 ,  2H097CA13 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F046AA09 ,  5F046AA25 ,  5F046CA08 ,  5F046CB17