特許

J-GLOBAL ID：200903058428448433

半田バンプ形成方法及びそれによって形成されたバンプを有する半導体装置

発明者： 菊地 広 ,  咲間 光廣 ,  佐藤 俊彦 ,  林田 哲哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290149
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142491
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 特別なプロセスを用いずに、CCB半田バンプの耐湿性を向上させること。【構成】 半導体チップを基板にフリップ・チップ接続するための半田バンプの形成方法であって、前記半導体チップの能動素子面にバンプ用の半田を定着させ、その半田を溶融して基板と接続し、その接続後にその半田の表面を加熱もしくはリフローにより酸化する。

請求項（抜粋）：

半導体チップを基板にフリップ・チップ接続するための半田バンプの形成方法であって、前記半導体チップの能動素子面にバンプ用の半田を定着させ、その半田を溶融して基板と接続し、その接続後にその半田の表面を加熱もしくはリフローにより酸化することからなる半田バンプの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 C ,  H01L 23/12 F