絶縁膜用コーティングワニス及び絶縁膜

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-252111
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095236
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】半導体用途において、熱特性、電気特性、物理特性及び機械特性のすべてに優れ、特に、誘電率の極めて低い耐熱性の絶縁膜を提供する。【解決手段】(1)一般式(A)、又は一般式(A)及び一般式(F)で表わされる構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、(2)熱分解温度が、200°C〜400°Cの有機化合物、並びに、(3)上記成分(1)及び成分(2)を同時に溶解もしくは分散することが可能な有機溶媒、からなるコーティングワニスを調製し、フィルム化する。尚、式中、nは0〜1000の整数、mは10〜1000の整数を示す。【化1】【化2】

請求項（抜粋）：

(1)一般式(A)、又は一般式(A)及び一般式(F)で表わされる構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、 (2)熱分解温度が、200°C〜400°Cの有機化合物、並びに、 (3)上記成分(1)及び成分(2)を同時に溶解もしくは分散することが可能な有機溶媒、からなることを特徴とする絶縁膜用コーティングワニス。

IPC (4件)：

H01B3/30 , B05D5/12 , C08G73/22 , H01L21/312

FI (6件)：

H01B3/30 H , H01B3/30 M , H01B3/30 Q , B05D5/12 D , C08G73/22 , H01L21/312 A

Fターム (95件)：

4D075CA18 , 4D075CA23 , 4D075DA03 , 4D075DA06 , 4D075DB06 , 4D075DB14 , 4D075DB61 , 4D075DC19 , 4D075DC21 , 4D075DC24 , 4D075EA07 , 4D075EB14 , 4D075EB22 , 4D075EB44 , 4D075EB47 , 4D075EB51 , 4J043PA04 , 4J043PA06 , 4J043PA19 , 4J043PB22 , 4J043PB23 , 4J043PC015 , 4J043PC145 , 4J043QB15 , 4J043QB34 , 4J043RA06 , 4J043RA52 , 4J043SA06 , 4J043SA54 , 4J043SA71 , 4J043SB01 , 4J043SB02 , 4J043TA12 , 4J043TA26 , 4J043TA47 , 4J043TA66 , 4J043TA67 , 4J043TB01 , 4J043TB02 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UA142 , 4J043UA151 , 4J043UA152 , 4J043UA161 , 4J043UA162 , 4J043UA231 , 4J043UA232 , 4J043UB021 , 4J043UB022 , 4J043UB061 , 4J043UB062 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB131 , 4J043UB132 , 4J043UB301 , 4J043UB302 , 4J043UB401 , 4J043UB402 , 4J043VA012 , 4J043VA022 , 4J043VA052 , 4J043VA062 , 4J043VA092 , 4J043XA16 , 4J043XA38 , 4J043XB19 , 4J043YA06 , 4J043YA30 , 4J043ZA12 , 4J043ZA43 , 4J043ZA46 , 4J043ZB03 , 4J043ZB11 , 4J043ZB22 , 4J043ZB23 , 4J043ZB47 , 4J043ZB50 , 4J043ZB60 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AH02 , 5G305AA06 , 5G305AA07 , 5G305AA11 , 5G305AB10 , 5G305AB36 , 5G305BA09 , 5G305BA18 , 5G305CA00 , 5G305CD20

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