特許

J-GLOBAL ID：200903058432171772

多層配線の形成方法

発明者： 長島 直樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156392
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006938
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 多層配線におけるスルーホール内に形成するプラグと導電層の接触面積を増加し、接触抵抗を小さくするようにしたものである。【構成】 ポリシリコン膜11上に、順次、SiO2膜12,ポリシリコン膜(第2の導電層)13,SiO2膜14を積層した後、スルーホールを形成し、次に、ライトエッチング(ウェットエッチング)することにより、ポリシリコン膜13を挟むSiO2膜12,13をエッチングにより後退させ、ポリシリコン膜13の露出面積を大きくした後プラグ(ポリシリコン+タングステン)を形成することで、プラグと導電層(ポリシリコン膜13)との接触面積を大きくし、接触抵抗を小さくする。

請求項（抜粋）：

第1の導電層上に、順次、第1の絶縁層,第2の導電層及び第2の絶縁層を積層し、前記第1の導電層と第2の導電層を接続するためのスルーホールを形成し、該スルーホール内にプラグを形成する多層配線の形成方法において、前記スルーホール内に露出する第1の絶縁層およびまたは第2の絶縁層をエッチングして第2の導電層の積層面の一部を露出させた後、プラグを形成することを特徴とする多層配線の形成方法。