特許
J-GLOBAL ID：200903058436749086
マイクロ波集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292570
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129345
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 エピタキシャル成長層の結晶性を低下させることなくプレナ構造を実現し、伝送線路の断線を防止して高周波特性に優れたMMICを高歩留りで製造する。【構成】 ヘテロ接合を有する半導体基体に能動素子形成予定域を除きエッチングを施しこの能動素子形成予定域11を凸に形成する工程と、前記半導体基体の全面に絶縁膜19を形成する工程と、前記能動素子形成予定域11の絶縁膜を選択的に除去し能動素子および受動素子を形成する工程を含むことを特徴とするマイクロ波集積回路の製造方法。
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合を有する半導体基体に能動素子形成予定域を除きエッチングを施しこの能動素子形成予定域を凸に形成する工程と、前記半導体基体の全面に絶縁膜を形成する工程と、前記能動素子形成予定域の絶縁膜を選択的に除去し能動素子および受動素子を形成する工程を含むマイクロ波集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H03B 5/02
