特許

J-GLOBAL ID：200903058438960558

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-154900
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 バッファ層上に成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を改善する。窒化ガリウム系化合物半導体を安定して、歩留よく成長させる。【解決手段】 有機金属化合物気相成長法により、バッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる。この方法は、一般式GaXAl1-XN(但し0.5≦X≦1の範囲である。)よりなる多結晶のバッファ層を成長させ、次に温度を上げてバッファ層を部分的に単結晶化し、これを種結晶として、キャリア濃度を2×1015(実施例6)〜1×1019/cm2(実施例8)とする窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物気相成長法により、バッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、一般式GaXAl1-XN(但し0.5≦X≦1の範囲である。)よりなる多結晶のバッファ層を成長させ、次に温度を上げてバッファ層を部分的に単結晶化し、これを種結晶として、キャリア濃度を2×1015〜1×1019/cm2とする窒化ガリウム系化合物半導体を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-297023
  
• 特開平2-229476
  
• 特開平4-209577
  
• 特開昭60-173829
  
• 特開昭52-023600