特許

J-GLOBAL ID：200903058444471933

ポジ型レジスト積層物

発明者： 安波 昭一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-154359
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、0.2μm以下の微細パターンにおけるラインうねり及び現像残査の少ないレジストパターンの形成が可能で、短時間での高温処理が可能かつ製造適性にも優れる、ポジ型レジスト積層物を提供する。【解決手段】 基板上に第1と第2のレジスト層をこの順に有する2層レジストにおいて、第1レジスト層が特定の繰返し単位を含むポリマーを含有し、第2レジスト層が、特定の繰返し単位を有するポリマーと活性光線又は放射線の照射で酸を発生する化合物とを含有するポジ型レジスト積層物。

請求項（抜粋）：

基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有する2層レジストにおいて、第1レジスト層が(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位を含むポリマーを含有し、また第2レジスト層が、(b)下記一般式(4)で表される繰返し単位を有するポリマーと、(C)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式(1)中、Y1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表し、L1、L2はそれぞれ2価の連結基を表し、Jは置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、又はフェナントリル基を表す。b、cはそれぞれ独立に0又は1を表す。【化2】式(4)中、Y2はY1と同義である。R2〜R4は、それぞれ独立に直鎖又は分岐を有するアルキル基、フェニル基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。Lは単結合または2価の連結基を表す。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (22件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF03 ,  2H025BF15 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025DA13