特許
J-GLOBAL ID：200903058445536850
半導体ウエハーのテスト方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270663
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120308
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 多ピンまたは微細パタ-ンの半導体素子の特性測定を容易にできると共に半導体素子チップを有効に利用する点。【構成】 半導体ウエハ-に形成するダイシングラインにパッド電極か特性調査パッド電極を設け、前者は半導体素子に形成する外部接続用電極パッドに、後者は抵抗などの回路部品に夫々電気的に接続する。パッド電極にプロ-ブ針を接触して半導体素子の特性を測定し、後者では回路部品の抵抗値などをパッド電極を例えばトリミングすることにより調整する。従って半導体素子の面積を増やさずにより確実な測定が可能になると共に、ひいては歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ-に複数のチップを形成する工程と,このチップに半導体素子を形成する工程と,この半導体素子に外部接続用パッドを設ける工程と,各チップに隣接してダイシングラインを形成する工程と,前記外部接続用パッドに電気的に接続する電極パッドをダイシングラインに形成する工程と,この電極パッドにプロ-ブ針を接触して電気的特性を測定する工程を具備することを特徴とする半導体ウエハ-テスト方法
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01R 1/073
, H01L 21/78
