特許

J-GLOBAL ID：200903058450937596

配線構造の形成方法および配線構造

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001062
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199972
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 接続孔が下層配線上からずれても、この接続孔への配線材料の埋め込みを良好に行うことができる配線構造の形成方法の提供が望まれている。【解決手段】 エッチングストッパ層12、上部層13を有してなる下層絶縁膜14に下層配線用溝15を、その底面がエッチングストッパ層12の表面より深くなるように形成する。下層配線用溝15に配線材料16を埋め込んで下層配線18を形成する。下層配線18を覆った状態で下層絶縁膜14上に上層絶縁膜19を形成する。上層絶縁膜19をエッチングして下層配線18に通じる接続孔21を形成する。エッチングストッパ層12を形成する絶縁材料との間で選択比がとれる条件で上層絶縁膜19をエッチングし、接続孔21に連通する上層配線用溝22を形成する。接続孔21内および上層配線用溝22内に配線材料を埋め込んで上層配線24を形成する。

請求項（抜粋）：

下層絶縁膜中の下層配線上に、上層絶縁膜中に形成した接続孔内の導電材料を介して前記下層配線に電気的に通じる溝配線構造の上層配線を形成する、配線構造の形成方法であって、基体上に一の絶縁材料からなるエッチングストッパ層を形成し、続いてこれの上に該一の絶縁材料と異なる絶縁材料からなる上部層を形成し、下層絶縁膜を形成する工程と、前記下層絶縁膜に下層配線用溝を、その底面が前記エッチングストッパ層の表面より深くなるようにして形成する工程と、前記下層配線用溝に配線材料を埋め込んで下層配線を形成する工程と、前記下層配線を覆った状態で前記下層絶縁膜上に上層絶縁膜を形成する工程と、前記上層絶縁膜をエッチングして前記下層配線に通じる接続孔を形成する工程と、前記エッチングストッパ層を形成する絶縁材料との間で選択比がとれる条件で前記上層絶縁膜をエッチングし、前記接続孔に連通する上層配線用溝を形成する工程と、前記接続孔内および前記上層配線用溝内に配線材料を埋め込んで上層配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線構造の形成方法。