特許
J-GLOBAL ID：200903058452162567

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
周 保華

周 保華 について

, 
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007951
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189173
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にSiCN膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスを供給する工程と炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に窒化ガスを供給する工程を適宜に行い、炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行う。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、 前記シラン系ガスを供給する工程と前記炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に、 前記窒化ガスを供給する工程を適宜に行うようにし、前記炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で前記炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L21/314 A ,  H01L21/31 C ,  C23C16/42
Fターム (49件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EK06 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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